当USB 3.2 Gen2×2、DP 2.1、SerDes 16 Gbps 等串行总线将单端数据速率推向 20 Gb/s 以上时，任何一颗电容超过 0.3 pF 的 ESD 器件都会像“隐形电感”一样拖慢边沿。萨科微（Slkor）推出单向 TVS 二极管 SLPESDMC2FD5VB，以 0.25 pF 典型结电容、13 V 钳位电压、5 V 反向工作电压 (VRWM) 与 6 V 最小击穿电压 (VBR) 的组合，为 5 V 高速单端或差分线路提供几乎“零附加负载”的静电防护，同时反向漏电流仅 100 nA，助力移动与可穿戴设备进一步延长待机时间。

萨科微Slkor静电保护二极管SLPESDMC2FD5VB产品图

器件使命：在 ESD、CDE 或 EFT 脉冲抵达 IC I/O 之前，以纳秒级响应将其能量旁路到地平面，充当高速系统与外部嘈杂环境之间的“隐形保险丝”。传统方案为了提升功率承受能力往往把电容做得更大，导致眼图塌陷；SLPESDMC2FD5VB 通过萨科微专利的深阱工艺，在 88 W (8/20 µs) 峰值功率与 0.25 pF 结电容之间取得平衡，成为智能手机、平板、笔记本、车载摄像头以及 AR/VR 头显等超高速端口的理想“静默守卫”。

萨科微Slkor静电保护二极管SLPESDMC2FD5VB规格书

精准的保护窗口

反向工作电压 VRWM = 5 V

最小反向击穿电压 VBR = 6 V

该窗口确保 5 V 单端信号在正常工作时不被误触发，同时在 ±15 kV 空气放电、±8 kV 接触放电 (IEC 61000-4-2 Level 4) 以及 40 A、5/50 ns EFT 脉冲下仍能可靠钳位，完全覆盖 USB-C SuperSpeed、DisplayPort AUX、PCIe 边带等 5 V 接口的电气规格。

萨科微Slkor静电保护二极管SLPESDMC2FD5VB相关参数

13 V 低钳位电压
在 1 A、8/20 µs 脉冲下典型钳位电压 VC = 13 V；4 A 脉冲下 VC 仅 22 V，远低于 5 V CMOS 工艺 20 V 以上的瞬态耐压裕度，把过冲应力压到[敏感词]，避免潜在栅氧击穿。

0.25 pF 结电容——比主流方案再降 30 %

CJ = 0.25 pF（@ VR = 0 V，f = 1 MHz，[敏感词] 0.4 pF）

20 GHz 时[敏感词]损耗 < –0.15 dB，回波损耗 < –25 dB，保证 10 Gbps 以上单端信号边沿完整、眼图张得更大。

100 nA 超低漏电流

IR = 100 nA（@ VR = 5 V，25 °C）

高温 85 °C 下仍低于 500 nA，让全天候待机的手机、TWS 耳机、可穿戴手环在电池寿命上再添几分胜算。

DFN1006 超薄封装

尺寸 1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm，较 SOT-23 节省 60 % 以上 PCB 面积；0.5 mm 厚度可直接塞进 Type-C 母座舌片下方；[敏感词]裸露焊盘形成最短接地路径，降低回路电感，提升 ESD 泄放速度。器件采用 Ni/Pd/Au 三层镀层端子，兼容无铅回流焊，7 英寸卷带 10 kpcs/reel，适配高速贴片线。

典型应用

• 移动终端：手机 USB-C SuperSpeed 线、耳机孔、SIM 卡槽、侧边按键、摄像头模组 D-PHY/CSI-2

• 计算平台：超薄本 Thunderbolt™ 4/5 高速通道、HDMI 2.1 端口、SSD M.2 高速插槽

• 车载电子：摄像头 FPD-Link III、GMSL 链路、IVI 系统 USB Hub、天线调谐器 GPIO

• 工业与医疗：高速数据采集卡、工业相机、便携式超声探头接口

• AR/VR 与可穿戴：AR 眼镜 Micro-OLED 显示链路、智能手表高速充电/数据复合接口

设计提示

PCB 布局时，请将 SLPESDMC2FD5VB 放置在距连接器入口 ≤ 2 mm 处；单端或差分线保持对称走线并维持阻抗连续；下方完整地平面开窗与 TVS 地焊盘直接相连，避免共用长地回路。萨科微官网(www.slkoric.com)同步提供提供其他类型的产品,给予更多选择。

凭借 0.25 pF 的[敏感词]低容、13 V 的精准钳位、5 V/6 V 的严密保护区间以及仅 100 nA 的漏电流，SLPESDMC2FD5VB 在 5 V 高速单端与差分接口中树立了一道“无感”ESD 防线，为更轻、更快、更可靠的终端设备提供无声而稳固的守护。

萨科微slkor静电保护二极管（ESD）

萨科微slkor荣誉资质和科研成果

关于萨科微slkor：

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